集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長(cháng)技術(shù)及裝備、化學(xué)機械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩定性的運動(dòng)控制技術(shù)和驅動(dòng)技術(shù)，對結構件的精度和結構材料的性能提出了極高的要求。

●碳化硅工件臺

以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負責完成曝光運動(dòng)，要求實(shí)現高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動(dòng)，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線(xiàn)寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模-硅片同時(shí)步進(jìn)和掃描速度分別達到150nm/s和120nm/s，掩模掃描速度接近500nm/s，并且要求工件臺具有非常高的運動(dòng)精度和平穩性。

一般說(shuō)來(lái)，光刻機用工件臺結構件需滿(mǎn)足以下要求：

①高度輕量化：為降低運動(dòng)慣量，減輕電機負載，提高運動(dòng)效率、定位精度和穩定性，結構件普遍采用輕量化結構設計，其輕量化率為60%~80%，最高可達到90%；

②高形位精度：為實(shí)現高精度運動(dòng)和定位，要求結構件具有極高的形位精度，平面度、平行度、垂直度要求小于1μm，形位精度要求小于5μm；

③高尺寸穩定性：為實(shí)現高精度運動(dòng)和定位，要求結構件具有極高的尺寸穩定性，不易產(chǎn)生應變，且導熱系數高、熱膨脹系數低，不易產(chǎn)生大的尺寸變形；

④清潔無(wú)污染：要求結構件具有極低的摩擦系數，運動(dòng)過(guò)程中動(dòng)能損失小，且無(wú)磨削顆粒的污染。

●碳化硅陶瓷方鏡

光刻機等集成電路關(guān)鍵裝備中的關(guān)鍵部件具有形狀復雜、外形尺寸復雜以及中空輕量化結構等特點(diǎn)，制備此類(lèi)碳化硅陶瓷零部件難度較大。目前國際主流集成電路裝備制造商，如荷蘭ASML，日本NIKON、CANON等公司大量采用微晶玻璃、堇青石等材料制備光刻機核心部件——方鏡，而采用碳化硅陶瓷制備其他簡(jiǎn)單形狀的高性能結構部件。中國建筑材料科學(xué)研究總院的專(zhuān)家們卻采用專(zhuān)有制備技術(shù)，實(shí)現了大尺寸、復雜形狀、高度輕量化、全封閉光刻機用碳化硅陶瓷方鏡及其他結構功能光學(xué)零部件的制備。

●碳化硅光罩薄膜

日前在韓國的一場(chǎng)半導體交流活動(dòng)中，ASML韓國營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理MyoungKuyLee透露，將開(kāi)始供應透光率超90%的薄膜，以提升EUV光刻機的效率。ASML2016年首次開(kāi)發(fā)出光罩薄膜，當時(shí)的透光率是78%。隨后在2018年，薄膜透光率提升到80%，2020年提升到85%。

薄膜用于保護光罩免受污染，單價(jià)2.6萬(wàn)美元左右（約合人民幣16.78萬(wàn)元）。另外，韓國企業(yè)FST、S&STech也都在緊張開(kāi)發(fā)EUV光刻機所需的薄膜，FST此前預期上半年開(kāi)始供應90%透光率的碳化硅薄膜。