2018年，特斯拉在Model3電驅主逆變器上，率先采用了意法半導體供應的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開(kāi)始逐漸成為市場(chǎng)發(fā)展的熱點(diǎn)。碳化硅為代表的第三代半導體是支撐新能源汽車(chē)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車(chē)電機驅動(dòng)系統的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn)，對整車(chē)的主要技術(shù)指標和整體性能有著(zhù)重要影響。

碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場(chǎng)合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著(zhù)降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。