碳化硅功率器件替代優(yōu)勢明顯，在高壓高功率領(lǐng)域性能強勁。功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎元器件之一，作用是實(shí)現對電能的處理、轉換和控制，主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，根據科銳和應用材料公司官網(wǎng)數據顯示，相較于硅基功率器件，碳化硅基MOSFET尺寸可以減少為同電壓硅基MOSFET的十分之一，能量損耗可以減少為同開(kāi)關(guān)頻率硅基IGBT的30%。

SiC功率器件下游應用廣泛，市場(chǎng)快速放量。得益于優(yōu)異的能源轉換效率，碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車(chē)/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、家電等領(lǐng)域均有廣泛應用前景。根據Yole數據顯示，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規模預計將從2021年10.9億美元增長(cháng)至2027年62.97億美元，年均復合增長(cháng)率達34%，其中新能源車(chē)（主逆變器和充電機）、光伏及儲能系統貢獻了主要增量。新能源車(chē)將由從2021年6.85億美元增長(cháng)至2027年49.86億美元，為最大增量領(lǐng)域；光伏及儲能預計增長(cháng)至2027年4.58億美元；此外軌道交通領(lǐng)域預計也會(huì )為功率器件市場(chǎng)貢獻超過(guò)1億美元的增量空間。