當前，國內廠(chǎng)商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標與國際主流廠(chǎng)商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進(jìn)程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。由于現有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線(xiàn)可以升級改造用于生產(chǎn)SiC器件，所以6英寸SiC襯底的高市占率將維持較長(cháng)時(shí)間。目前我國市場(chǎng)上使用的碳化硅襯底一般為4英寸，可生產(chǎn)6英寸碳化硅襯底的企業(yè)，全國不足10家。

碳化硅襯底制備主要有以下技術(shù)難點(diǎn)：（1）碳化硅單晶的制備對于溫度場(chǎng)設計。適宜的溫度場(chǎng)是制備碳化硅單晶的基礎，不適宜的溫度場(chǎng)極易導致單晶開(kāi)裂等問(wèn)題。此外，隨著(zhù)碳化硅襯底直徑的增加，溫度場(chǎng)的設計及實(shí)現難度也在增加。（2）降低結晶缺陷密度。襯底中結晶缺陷（如：微管、穿透性螺位錯（TSD）、基平面位錯（BPD））會(huì )對器件造成負面影響。由于碳化硅較高的生長(cháng)溫度，為降低結晶缺陷密度，傳統的工藝條件（如掩膜法）已經(jīng)不能滿(mǎn)足低結晶缺陷密度單晶的生長(cháng)，勢必需要導入新工藝，增加工藝復雜性，這會(huì )推高單晶成本。因此，需要投入較長(cháng)的時(shí)間及較大的物料成本研發(fā)新工藝，較長(cháng)的研發(fā)周期可能會(huì )阻礙襯底單位面積成本的下降，且隨著(zhù)單晶生長(cháng)厚度的增加，單晶殘余內應力迅速增加，這會(huì )導致單晶結晶質(zhì)量下降甚至導致單晶開(kāi)裂等問(wèn)題，如何有效兼顧單晶可用厚度及單晶結晶質(zhì)量存在較大難度。

襯底主要的三個(gè)幾何參數為T(mén)TV（總厚度偏差）、Bow（彎曲度）及Wrap（翹曲度），國內廠(chǎng)商與國外領(lǐng)先廠(chǎng)商仍存在明顯差距。此外，產(chǎn)品的一致性問(wèn)題是難以攻克的短板，國產(chǎn)襯底目前較難進(jìn)入主流供應鏈。具體來(lái)說(shuō)，國產(chǎn)襯底技術(shù)短板以及一致性問(wèn)題主要包含兩個(gè)方面：（1）由于國內廠(chǎng)商起步相對較晚，在材料匹配、設備精度和熱場(chǎng)控制等技術(shù)角度需要長(cháng)時(shí)間的專(zhuān)門(mén)知識累積；（2）國內廠(chǎng)商的客戶(hù)較少且比較分散，客戶(hù)的反饋速度更慢，反饋內容不徹底。相比較起來(lái)，WolfSpeed的產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋襯底、外延、器件乃至模組，后端反饋充分且及時(shí)。因此，國內廠(chǎng)商的技術(shù)差距直接導致襯底綜合性能較差，無(wú)法用于要求更高的產(chǎn)線(xiàn)中；一致性問(wèn)則表示優(yōu)質(zhì)襯底比例較低，直接導致襯底的成本大幅上升，上述兩點(diǎn)導致國內廠(chǎng)商制造的襯底還無(wú)法進(jìn)入主流供應鏈。