碳化硅器件的出現推動(dòng)了電力電子朝著(zhù)小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見(jiàn)，通過(guò)將瓷片電容盡可能靠近功率芯片可有效減小功率回路寄生電感參數，減小開(kāi)關(guān)過(guò)程中的震蕩、過(guò)沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。

驅動(dòng)集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了SiC智能功率模塊(IPM)，將驅動(dòng)芯片以及相關(guān)保護電路集成到模塊內部，并用于家電等設備當中。此外，還有EMI濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運用到碳化硅封裝設計當中。

散熱技術(shù)也是電力電子系統設計的一大重點(diǎn)和難點(diǎn)。設計中，通常是將單管或模塊貼在散熱器上，再通過(guò)風(fēng)冷或者液冷進(jìn)行散熱。將微通道集成在模塊的基板內，使得模塊整體熱阻下降34%。微通道散熱技術(shù)也被用于芯片的直接散熱，用于寬禁帶器件的3種典型方式：一種是將微通道直接做在芯片的襯底上；第2種則將微通道集成在芯片下層的厚金屬層中；第3種則通過(guò)金屬鍍層和熱介質(zhì)材料將芯片直接連接到Si基微通道結構上。

這種直接作用于芯片的散熱技術(shù)消除了模塊多層結構的限制，可以極大提高芯片的散熱效率。相變散熱技術(shù)如熱管、噴霧等方式相比于單相氣冷、水冷等具有更高的熱導率，非常高效，也為SiC器件的散熱提供了一種解決思路。