據了解，AMB基板銅層結合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過(guò)程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車(chē)并改善新能源汽車(chē)應用有明顯的提升效果。

不過(guò)，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實(shí)現難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進(jìn)一步完善，這使得該技術(shù)目前的實(shí)現成本還比較高，“AMB被認為是SiC的最佳搭配方案，不過(guò)目前AMB基板的成本大約是DBC的3倍左右，這是阻礙它發(fā)展的重要因素。”業(yè)內人士進(jìn)一步指出，“隨著(zhù)SiC不斷在汽車(chē)上取得突破，AMB有望借助新能源汽車(chē)的發(fā)展，獲得新的發(fā)展機遇，而且會(huì )隨著(zhù)新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量的不斷突破而加快滲透。”

AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯，此外在光伏、風(fēng)電、軌道交通等領(lǐng)域，也對AMB有著(zhù)巨大需求，市場(chǎng)潛力明顯。